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Las memorias DDR3 se vuelven más rápidas y económicas

Las nuevas memorias DDR3 de 50nm de Samsung y Elpida están comenzando a producirse en forma masiva. Los chips presentarán mayores densidades y velocidades, a la vez que disminuirán sus latencias, su consumo energético y sus costos. Se estima que el sobrecosto de las memorias DDR3 caerá de 100% a 10% para cuando Windows 7 aparezca en el mercado.

El nuevo proceso de 50nm de Elpida utiliza nuevas tecnologías litográficas que, combinadas con interconexiones de cobre, proveen un incremento de velocidad del 25 por ciento por sobre los chips que utilizan interconexiones de aluminio estándares. Al reducir la superficie del chip a menos de 40 mm2, podrán producirse más chips por oblea, bajando los costos una vez que la línea de producción madure y se maximicen los rendimientos.

Los nuevos chips son capaces de alcanzar un ancho de banda de 2,5 Gb/seg. operando a 1,5v, aunque también pueden usarse con menor voltaje (1,2v) para brindar un ancho de banda de 1,6 Gb/seg. La producción inicial se hará en densidades de 1 Gb, lo cual permitirá nuevos modelos de uso en los segmentos de equipos móviles y servidores.

Samsung, por su parte, está usando su proceso de 50nm para fabricar chips DDR3 de 2 Gb, con vistas a convertirlo en su principal tecnología de proceso para este año. La empresa afirma que logra un 60 por ciento de incremento en productividad con respecto a DDR2.

Muchos otros fabricantes de DDR3 están también buscando reducir sus geometrías en preparación para el lanzamiento de las plataformas AM3 de AMD y Lynnfield de Intel, las cuales usarán DDR3 y acelerarán la demanda del mercado por este tipo de memorias.

El sobrecosto de las memorias DDR3 podría caer de 100 a 10 por ciento para cuando Lynnfield y Windows 7 salgan al mercado en el tercer trimestre de este año.

Según pronostica IDC, las ventas de DDR3 se llevarán un 29 por ciento del mercado total de DRAM durante 2009, en términos de unidades vendidas. Este porcentaje aumentará a 72 por ciento para 2011.

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